BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET能够20-30mR的GaN!

BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET系列家具，B3M040065H,B3M040065L,B3M040065Z高性能，高可靠性和易用性，高性价比，同期提供运转电源和运转IC责罚决策！

为什么BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET不错替代30mR 超结MOSFET能够20-30mR的GaN？

温度对SiC MOSFET输出电流特质的影响小于超结SJ-MOSFET，SiC MOSFET在高温下照旧保合手较低的导通损耗，而在使用超结SJ-MOSFET需要特别眷注RDS(ON)高潮对散热的条款。SiC MOSFET的Ciss（输入电容）显明小于SJ-MOSFET，SiC MOSFET的关断延时会显明小。SiC MOSFET的Qg显明小于SJ-MOSFET，这标明SiC MOSFET的运转能量显明更小，同期不错看到SiC MOSFET的米勒平台更小，而SJ-MOSFET有显明的米勒平台，因此SiC MOSFET更适用于高频率的开关。

相对碳化硅SiC MOSFET的运转闇练可靠。GaN的运转电路面对着高频反馈、电压应力、热踏实性等挑战。特别是硬开关永劫期续流的情况下，GaN的反向电流本事急剧下落，是以不得不采选更大余量的GaN器件，相对闇练且本钱合手续下落的的SiC MOSFET，GaN器件性价比进一步恶化。

跟着缔造和工艺本事的股东，更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET时刻的主要发展标的，体当今愚弄端上则是更好的性能和更高的可靠性。

为此世博shibo登录入口，BASiC™基本公司研发推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，该系列家具进一步优化钝化层，晋升可靠性，比较上一代家具领有更低比导通电阻、器件开关损耗，以及更高可靠性等优胜性能，可助力光伏储能、新动力汽车、直流快充、工业电源、通讯电源、伺服运转、APF/SVG、热泵运转、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业已毕更为出色的动力恶果和愚弄可靠性。